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Transistores bipolares 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3A 50V

Transistores bipolares 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3A 50V Imagen destacada
  • Transistores bipolares 2SC5964-TD-H – BJT BIP NPN 3A 50V

Descripción breve:

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistores bipolares (BJT) de un solo transistor
Ficha de datos:2SC5964-TD-H
Descripción: TRANS NPN 50V 3A
Estado RoHS: compatible con RoHS


Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Características

Aplicaciones

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor del atributo
Fabricante: onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete/Caja: SOT-89-3
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Soltero
Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 50 voltios
Voltaje colector-base VCBO: 100 voltios
Voltaje base-emisor VEBO: 6 voltios
Voltaje de saturación colector-emisor: 100 mV
Corriente máxima del colector de CC: 3 A
Pd - Disipación de potencia: 3,5 W
Producto de ancho de banda de ganancia fT: 380 MHz
Temperatura mínima de funcionamiento: -
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Serie: 2SC5964
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: Carrete de ratón
Marca: onsemi
Corriente de colector continua: 3 A
Ganancia de colector/base de CC hfe Min: 200
Tipo de producto: BJT - Transistores bipolares
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistores
Tecnología: Si
Peso unitario: 0.004603 onzas

  • Anterior: Reguladores de voltaje de conmutación TPS563210DDFR
  • Próximo: Reguladores de voltaje conmutados ADP2301AUJZ-R7 de 20 V y 1,2 A, sin sincronización, reductores de CC a CC

  • • Adopción del proceso MBIT

    • Baja tensión de saturación del colector-emisor

    • Cumplimiento libre de halógenos

    • Gran capacidad de corriente

    • Conmutación de alta velocidad

     

    •Convertidor CC/CC, controladores de relé, controladores de lámpara, controlador de motor, flash

     

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