BSC072N08NS5 MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8

Breve descripción:

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistores - FET, MOSFET - Único
Ficha de datos:BSC072N08NS5
Descripción: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Características

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: TDSON-8
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 80 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 74A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 7,2 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 2,2 voltios
Qg - Carga de puerta: 24 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Pd - Disipación de potencia: 69W
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: OptiMOS
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: ratóncarrete
Marca: Tecnologías de Infineon
Configuración: Soltero
Otoño: 5 ns
Transconductancia directa - Min: 31 S
Altura: 1,27 mm
Longitud: 5,9mm
Tipo de producto: MOSFET
Hora de levantarse: 7 ns
Serie: OptiMOS 5
Cantidad del paquete de fábrica: 5000
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 10 ns
Ancho: 5,15 mm
Alias ​​de parte #: BSC072N08NS5 SP001232628
Unidad de peso: 0.003683 onzas

 


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  • • Optimizado para SMPS de alto rendimiento, por ejemplo, sync.rec.

    • 100 % probado en avalanchas

    •Resistencia térmica superior

    • Canal N

    •Calificado según JEDEC1) para aplicaciones de destino

    •Recubrimiento de plomo sin Pb;Cumple con RoHS

    • Libre de halógenos según IEC61249-2-21

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