BUK9K35-60E, MOSFET de 115 BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor del atributo |
Fabricante: | Nexperia |
Categoría de producto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnología: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete/Caja: | LFPAK-56D-8 |
Polaridad del transistor: | Canal N |
Número de canales: | 2 canales |
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 60 voltios |
Id - Corriente de drenaje continua: | 22 A |
Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 32 mOhmios |
Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 1,4 V |
Qg - Carga de puerta: | 7,8 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C |
Pd - Disipación de potencia: | 38 W |
Modo de canal: | Realce |
Calificación: | AEC-Q101 |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | Carrete de ratón |
Marca: | Nexperia |
Configuración: | Dual |
Tiempo de otoño: | 10,6 ns |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 11,3 ns |
Cantidad del paquete de fábrica: | 1500 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 2 canales N |
Tiempo típico de retardo de apagado: | 14,9 ns |
Tiempo de retardo de encendido típico: | 7,1 ns |
Número de pieza Alias: | 934066977115 |
Peso unitario: | 0,003958 onzas |
♠ BUK9K35-60E MOSFET de nivel lógico de canal N doble de 60 V y 35 mΩ
MOSFET de canal N de nivel lógico dual en un encapsulado LFPAK56D (Dual Power-SO8) con tecnología TrenchMOS. Este producto ha sido diseñado y homologado según la norma AEC Q101 para su uso en aplicaciones automotrices de alto rendimiento.
• MOSFET doble
• Cumple con Q101
• Clasificación de avalancha repetitiva
• Adecuado para entornos con exigencias térmicas gracias a su clasificación de 175 °C
• Puerta de nivel lógico real con clasificación VGS(th) mayor a 0,5 V a 175 °C
• Sistemas automotrices de 12 V
• Control de motores, lámparas y solenoides
• Control de transmisión
• Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento