Optocopler GateDrive de corriente de salida FDD4N60NZ MOSFET 2.5A
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | DPAK-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 600 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1,7 A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 1,9 ohmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 5 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 8.3 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 114W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | UniFET |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 12,8 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 3,4 segundos |
| Altura: | 2,39 mm |
| Longitud: | 6,73 mm |
| Producto: | MOSFET |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 15,1 ns |
| Serie: | FDD4N60NZ |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 2500 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 30,2 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 12,7 ns |
| Ancho: | 6,22 mm |
| Unidad de peso: | 0.011640 onzas |
