FGH40T120SMD-F155 Transistores IGBT 1200V 40A Zanja de parada de campo IGBT
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | Transistores IGBT |
| Tecnología: | Si |
| Paquete / Caja: | TO-247G03-3 |
| Estilo de montaje: | A través del orificio |
| Configuración: | Soltero |
| Tensión colector-emisor VCEO máx.: | 1200 V |
| Tensión de saturación colector-emisor: | 2 voltios |
| Voltaje máximo del emisor de puerta: | 25V |
| Corriente continua de colector a 25 C: | 80A |
| Pd - Disipación de potencia: | 555W |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175C |
| Serie: | FGH40T120SMD |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Corriente continua del colector Ic Max: | 40A |
| Corriente de fuga del emisor de puerta: | 400 nA |
| Tipo de producto: | Transistores IGBT |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 30 |
| Subcategoría: | IGBT |
| Alias de parte #: | FGH40T120SMD_F155 |
| Unidad de peso: | 0,225401 onzas |
♠ IGBT - Paro de campo, trinchera 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Utilizando la innovadora tecnología IGBT de zanja de parada de campo, la nueva serie de IGBT de zanja de parada de campo de ON Semiconductor ofrece el rendimiento óptimo para aplicaciones de conmutación dura, como aplicaciones de inversores solares, UPS, soldadoras y PFC.
• Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo
• Conmutación de alta velocidad
• Voltaje de baja saturación: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100 % de las piezas probadas para ILM(1)
• Alta impedancia de entrada
• Estos dispositivos están libres de plomo y cumplen con RoHS
• Aplicaciones de inversor solar, soldador, UPS y PFC
