Transistores IGBT de trinchera de parada de campo FGH40T120SMD-F155 de 1200 V y 40 A
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | Transistores IGBT |
| Tecnología: | Si |
| Paquete/Caja: | TO-247G03-3 |
| Estilo de montaje: | Agujero pasante |
| Configuración: | Soltero |
| Voltaje colector-emisor VCEO máx.: | 1200 voltios |
| Voltaje de saturación colector-emisor: | 2 voltios |
| Voltaje máximo del emisor de puerta: | 25 voltios |
| Corriente de colector continua a 25 C: | 80 A |
| Pd - Disipación de potencia: | 555 Oeste |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C |
| Serie: | FGH40T120SMD |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Corriente de colector continua Ic Max: | 40 A |
| Corriente de fuga de puerta-emisor: | 400 nA |
| Tipo de producto: | Transistores IGBT |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 30 |
| Subcategoría: | IGBT |
| Número de pieza Alias: | FGH40T120SMD_F155 |
| Peso unitario: | 0,225401 onzas |
♠ IGBT - Parada de campo, trinchera 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Utilizando la innovadora tecnología IGBT de trinchera de parada de campo, la nueva serie de IGBT de trinchera de parada de campo de ON Semiconductor ofrece el rendimiento óptimo para aplicaciones de conmutación dura, como inversores solares, UPS, soldadores y aplicaciones PFC.
• Tecnología de trinchera FS, coeficiente de temperatura positivo
• Conmutación de alta velocidad
• Voltaje de saturación bajo: VCE(sat) = 1,8 V a IC = 40 A
• 100% de las piezas probadas para ILM(1)
• Alta impedancia de entrada
• Estos dispositivos no contienen plomo y cumplen con la normativa RoHS.
• Aplicaciones de inversores solares, soldadores, UPS y PFC
