IPD90N06S4-04 MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | TO-252-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 60 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 90 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 3,8 mOhmios |
| Nombre comercial: | OptiMOS |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | Tecnologías Infineon |
| Configuración: | Soltero |
| Altura: | 2,3 milímetros |
| Longitud: | 6,5 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Serie: | OptiMOS-T2 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 2500 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Ancho: | 6,22 milímetros |
| Número de pieza Alias: | SP000374323 IPD9N6S44XT IPD90N06S404ATMA1 |
| Peso unitario: | 0,011640 onzas |
• Canal N – Modo de mejora
• Calificado por AEC
• MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo
• Temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Producto ecológico (compatible con RoHS)
• 100% probado contra avalanchas
