MGSF1N03LT1G MOSFET 30 V 2,1 A Canal N
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor del atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoría de producto: | MOSFET |
Tecnología: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete/Caja: | SOT-23-3 |
Polaridad del transistor: | Canal N |
Número de canales: | 1 canal |
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 30 voltios |
Id - Corriente de drenaje continua: | 2.1 A |
Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 100 mOhmios |
Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 1 V |
Qg - Carga de puerta: | 6 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
Pd - Disipación de potencia: | 690 mW |
Modo de canal: | Realce |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | Carrete de ratón |
Marca: | onsemi |
Configuración: | Soltero |
Tiempo de otoño: | 8 ns |
Altura: | 0,94 milímetros |
Longitud: | 2,9 milímetros |
Producto: | MOSFET de pequeña señal |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 1 ns |
Serie: | MGSF1N03L |
Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 1 canal N |
Tipo: | MOSFET |
Tiempo típico de retardo de apagado: | 16 ns |
Tiempo de retardo de encendido típico: | 2,5 ns |
Ancho: | 1,3 milímetros |
Peso unitario: | 0.000282 onzas |
♠ MOSFET – Sencillo, canal N, SOT-23 30 V, 2,1 A
Estos MOSFET miniatura de montaje superficial con bajo RDS(on) garantizan una pérdida mínima de potencia y un alto ahorro de energía, lo que los hace ideales para circuitos de gestión de energía con limitaciones de espacio. Sus aplicaciones típicas son los convertidores CC-CC y la gestión de energía en dispositivos portátiles y alimentados por batería, como ordenadores, impresoras, tarjetas PCMCIA, teléfonos móviles e inalámbricos.
• El RDS(on) bajo proporciona mayor eficiencia y extiende la vida útil de la batería
• El paquete de montaje superficial SOT−23 en miniatura ahorra espacio en la placa
• Prefijo MV para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; calificado por AEC−Q101 y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos no contienen plomo y cumplen con la normativa RoHS.