TPS51200QDRCRQ1 IC especializado en gestión de energía nuevo y original
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | Texas Instruments |
| Categoría de producto: | Gestión de energía especializada - PMIC |
| RoHS: | Detalles |
| Serie: | TPS51200-Q1 |
| Tipo: | Automotor |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | VSON-10 |
| Corriente de salida: | 600 mA |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 125 C |
| Calificación: | AEC-Q100 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | Texas Instruments |
| Sensible a la humedad: | Sí |
| Corriente de suministro de funcionamiento: | 700 uA |
| Pd - Disipación de potencia: | 0,79 W |
| Tipo de producto: | Gestión de energía especializada - PMIC |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | PMIC - Circuitos integrados de gestión de energía |
| Peso unitario: | 0,001386 onzas |
Regulador de terminación DDR de fuente y sumidero TPS51200-Q1
El dispositivo TPS51200-Q1 es un regulador de terminación DDR de doble velocidad de datos (DDR) de sumidero y fuente, diseñado específicamente para sistemas de bajo voltaje de entrada, bajo costo y bajo ruido, donde el espacio es un factor clave. El dispositivo TPS51200-Q1 mantiene una rápida respuesta transitoria y solo requiere una capacitancia de salida mínima de 20 μF. El dispositivo TPS51200-Q1 admite una función de detección remota y cumple con todos los requisitos de alimentación para la terminación de bus VTT DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 de bajo consumo y DDR4.
Además, el dispositivo TPS51200-Q1 proporciona una señal PGOOD de drenaje abierto para monitorear la regulación de salida y una señal EN que se puede utilizar para descargar VTT durante S3 (suspensión a RAM) para aplicaciones DDR.
El dispositivo TPS51200-Q1 está disponible en el paquete VSON-10 de eficiencia térmica y está clasificado
Verde y sin plomo. El dispositivo está especificado para temperaturas de –40 °C a 125 °C.
• Calificado para aplicaciones automotrices
• Guía de prueba AEC-Q100 con los siguientes resultados:
– Grado de temperatura del dispositivo 1: –40 °C a 125 °C Temperatura ambiente de funcionamiento
– Dispositivo HBM ESD Clasificación Nivel 2
– Dispositivo CDM ESD Nivel de clasificación C4B
• Voltaje de entrada: admite riel de 2,5 V y riel de 3,3 V
• Rango de voltaje VLDOIN: 1,1 V a 3,5 V
• El regulador de terminación de sumidero/fuente incluye compensación de caída
• Requiere una capacitancia de salida mínima de 20 μF (normalmente 3 × 10 μF MLCC) para aplicaciones de terminación de memoria (DDR)
• PGOOD para monitorear la regulación de la producción
• Entrada EN
• La entrada REFIN permite un seguimiento de entrada flexible ya sea directamente o a través de un divisor de resistencia
• Teledetección (VOSNS)
• Referencia amortiguada de ±10 mA (REFOUT)
• Arranque suave integrado, UVLO y OCL
• Apagado térmico
• Cumple con las especificaciones DDR, DDR2 JEDEC; admite aplicaciones DDR3, DDR3L, DDR3 de bajo consumo y DDR4 VTT
• Paquete VSON-10 con almohadilla térmica expuesta
• Regulador de terminación de memoria para DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 de bajo consumo y DDR4
• Portátil, ordenador de escritorio, servidor
• Telecomunicaciones y Datacom, estación base GSM, LCDTV y PDP-TV, fotocopiadora e impresora, decodificador
