NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | WDFN-8 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 30 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 44A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 7,4 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 1,3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 18,6 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 3,9 vatios |
| Modo de canal: | Mejora |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi |
| Configuración: | Soltero |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Serie: | NTTFS4C10N |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 1500 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Unidad de peso: | 29.570 miligramos |
♠ MOSFET NTTFS4C10N: alimentación, único, canal N, 8FL 30 V, 44 A
• Bajo RDS (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
• Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador
• Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y cumplen con RoHS
• Convertidores CC−CC
• Interruptor de carga de energía
• Gestión de la batería del portátil
