NVR4501NT1G MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | SOT-23-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 20 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 3,2A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 80 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 650mV |
| Qg - Carga de puerta: | 2.4 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 1,25 vatios |
| Modo de canal: | Mejora |
| Calificación: | AEC-Q101 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 3 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 9 S |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 12 ns |
| Serie: | NTR4501 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 12 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 6,5 ns |
| Unidad de peso: | 0.000282 onzas |
• Tecnología planar líder para carga de compuerta baja/conmutación rápida
• Clasificación de 2,5 V para accionamiento de compuerta de bajo voltaje
• Montaje en superficie SOT−23 para espacio reducido
• Prefijo NVR para aplicaciones automotrices y otras que requierenRequisitos de Cambio de Control y Sitio Único;AEC-Q101Calificado y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos están libres de plomo y cumplen con RoHS
• Interruptor de carga/encendido para portátiles
• Interruptor de carga/encendido para computación
• Conversión CC−CC
