MOSFET STH3N150-2 N-CH 1500 V 6 ohmios 2,5 A PowerMESH
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | H2PAK-2 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 1,5 kV |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2,5 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 9 ohmios |
| Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 29,3 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
| Pd - Disipación de potencia: | 140 vatios |
| Modo de canal: | Realce |
| Nombre comercial: | PowerMESH |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Configuración: | Soltero |
| Tiempo de otoño: | 61 ns |
| Transconductancia directa - Mín.: | 2.6 S |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 47 ns |
| Serie: | STH3N150-2 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 MOSFET de potencia de canal N |
| Tiempo típico de retardo de apagado: | 45 ns |
| Tiempo de retardo de encendido típico: | 24 ns |
| Peso unitario: | 4 gramos |
♠ MOSFET de potencia PowerMESH de canal N de 1500 V, 2,5 A, 6 Ω típicos en encapsulados TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 y TO247
Estos MOSFET de potencia se diseñan mediante el proceso MESH OVERLAY de STMicroelectronics, basado en un diseño de tira consolidado. El resultado es un producto que iguala o mejora el rendimiento de componentes estándar comparables de otros fabricantes.
• 100% probado contra avalanchas
• Capacitancias intrínsecas y Qg minimizadas
• Conmutación de alta velocidad
• Paquete de plástico TO-3PF completamente aislado, la distancia de fuga es de 5,4 mm (típico).
• Cambiar de aplicación
