STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | H2PAK-2 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 1,5 kV |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2,5A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 9 ohmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 3 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 29,3 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 140W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | PowerMESH |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 61 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 2,6 segundos |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 47 ns |
| Serie: | STH3N150-2 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | MOSFET de potencia de 1 canal N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 45 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 24 ns |
| Unidad de peso: | 4g |
♠ MOSFET de potencia PowerMESH de canal N de 1500 V, 2,5 A, 6 Ω típ. en paquetes TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 y TO247
Estos MOSFET de potencia están diseñados utilizando el proceso de SUPERPOSICIÓN DE MALLA basado en el diseño de franjas consolidado de STMicroelectronics.El resultado es un producto que iguala o mejora el rendimiento de piezas estándar comparables de otros fabricantes.
• 100 % probado contra avalanchas
• Capacidades intrínsecas y Qg minimizados
• Conmutación de alta velocidad
• Paquete de plástico TO-3PF completamente aislado, la distancia de fuga es de 5,4 mm (típ.)
• Cambio de aplicaciones
