MOSFET SUM55P06-19L-E3 60 V 55 A 125 W
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor del atributo |
Fabricante: | Vishay |
Categoría de producto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnología: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete/Caja: | TO-263-3 |
Polaridad del transistor: | Canal P |
Número de canales: | 1 canal |
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 60 voltios |
Id - Corriente de drenaje continua: | 55 A |
Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 19 mOhmios |
Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 1 V |
Qg - Carga de puerta: | 76 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C |
Pd - Disipación de potencia: | 125 vatios |
Modo de canal: | Realce |
Nombre comercial: | TrenchFET |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | Carrete de ratón |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Configuración: | Soltero |
Tiempo de otoño: | 230 ns |
Transconductancia directa - Mín.: | 20 S |
Altura: | 4,83 milímetros |
Longitud: | 10,67 milímetros |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 15 ns |
Serie: | SUMA |
Cantidad del paquete de fábrica: | 800 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 1 canal P |
Tiempo típico de retardo de apagado: | 80 ns |
Tiempo de retardo de encendido típico: | 12 ns |
Ancho: | 9,65 milímetros |
Peso unitario: | 0.139332 onzas |
• MOSFET de potencia TrenchFET®