Circuitos integrados de interruptor de alimentación VNB35NV04TR-E: distribución de alimentación N-Ch 70V 35A OmniFET
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabricante: | STMicroelectrónica |
Categoria de producto: | Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación |
Tipo: | Lado bajo |
Número de salidas: | 1 salida |
Límite actual: | 30A |
En resistencia - Máx.: | 13 mOhmios |
A tiempo - Máx.: | 500 ns |
Tiempo de inactividad - Máx.: | 3 nosotros |
Voltaje de suministro operativo: | 24V |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Caja: | D2PAK-2 |
Serie: | VNB35NV04-E |
Calificación: | AEC-Q100 |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | ratóncarrete |
Marca: | STMicroelectrónica |
Sensible a la humedad: | Sí |
Pd - Disipación de potencia: | 125W |
Producto: | Interruptores de carga |
Tipo de producto: | Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación |
Cantidad del paquete de fábrica: | 1000 |
Subcategoría: | Circuitos integrados de conmutación |
Unidad de peso: | 0,066315 onzas |
♠ OMNIFET II: MOSFET de potencia totalmente autoprotegido
Los VNB35NV04-E, VNP35NV04-E y VNV35NV04-E son dispositivos monolíticos diseñados en la tecnología STMicroelectronics® VIPower® M0-3, destinados a reemplazar los MOSFET de potencia estándar desde aplicaciones de CC hasta 25 kHz.
El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles.La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada.
• Limitación de corriente lineal
• Apagado térmico
• Protección contra cortocircuitos
• Abrazadera integrada
• Baja corriente extraída del pin de entrada
• Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
• Protección ESD
• Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
• Compatible con MOSFET de potencia estándar