Circuitos integrados de interruptor de potencia VNB35NV04TR-E: distribución de energía N-Ch 70 V 35 A OmniFET
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoría de producto: | Circuitos integrados de interruptores de potencia - Distribución de energía |
| Tipo: | Lado bajo |
| Número de salidas: | 1 Salida |
| Límite de corriente: | 30 A |
| Sobre la resistencia - Máx.: | 13 mOhmios |
| A tiempo - Máx.: | 500 ns |
| Tiempo libre - Máx.: | 3 nosotros |
| Voltaje de suministro de funcionamiento: | 24 voltios |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | D2PAK-2 |
| Serie: | VNB35NV04-E |
| Calificación: | AEC-Q100 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Sensible a la humedad: | Sí |
| Pd - Disipación de potencia: | 125 vatios |
| Producto: | Interruptores de carga |
| Tipo de producto: | Circuitos integrados de interruptores de potencia - Distribución de energía |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 1000 |
| Subcategoría: | Circuitos integrados de conmutación |
| Peso unitario: | 0,066315 onzas |
♠ OMNIFET II: MOSFET de potencia totalmente autoprotegido
Los VNB35NV04-E, VNP35NV04-E y VNV35NV04-E son dispositivos monolíticos diseñados con tecnología VIPower® M0-3 de STMicroelectronics®, pensados para reemplazar MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CC hasta 25 kHz.
El apagado térmico integrado, la limitación de corriente lineal y la fijación de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles. La retroalimentación de fallos se puede detectar mediante la monitorización de la tensión en el pin de entrada.
• Limitación de corriente lineal
• Apagado térmico
• Protección contra cortocircuitos
• Abrazadera integrada
• Baja corriente extraída del pin de entrada
• Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
• Protección ESD
• Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (control analógico)
• Compatible con MOSFET de potencia estándar
