Controladores de puerta VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A

Breve descripción:

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: PMIC: interruptores de distribución de energía, controladores de carga
Ficha de datos:VNS1NV04DPTR-E
Descripción: MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Características

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: STMicroelectrónica
Categoria de producto: Controladores de puerta
Producto: Controladores de puerta MOSFET
Tipo: Lado bajo
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: SOIC-8
Número de conductores: 2 conductor
Número de salidas: 2 salidas
Corriente de salida: 1,7 A
Tensión de alimentación - Máx.: 24V
Hora de levantarse: 500 ns
Otoño: 600 ns
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Serie: VNS1NV04DP-E
Calificación: AEC-Q100
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: ratóncarrete
Marca: STMicroelectrónica
Sensible a la humedad:
Corriente de suministro de funcionamiento: 150 uA
Tipo de producto: Controladores de puerta
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: PMIC - Circuitos integrados de administración de energía
Tecnología: Si
Unidad de peso: 0.005291 onzas

♠ MOSFET de potencia totalmente autoprotegido OMNIFET II

El VNS1NV04DP-E es un dispositivo formado por dos chips OMNIFET II monolíticos alojados en un paquete SO-8 estándar.Los OMNIFET II están diseñados con la tecnología VIPower™ M0-3 de STMicroelectronics: están destinados a reemplazar los MOSFET de potencia estándar desde aplicaciones de CC hasta 50 KHz.El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles.

La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada.


  • Anterior:
  • Próximo:

  • • Limitación de corriente lineal
    • Apagado térmico
    • Protección contra cortocircuitos
    • Abrazadera integrada
    • Baja corriente extraída del pin de entrada
    • Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
    • Protección ESD
    • Acceso directo a la puerta del mosfet de potencia (conducción analógica)
    • Compatible con mosfet de potencia estándar
    • Conforme a la directiva europea 2002/95/EC

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