W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | Winbond |
| Categoría de producto: | DRACMA |
| RoHS: | Detalles |
| Tipo: | SDRAM |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | TSOP-54 |
| Ancho del bus de datos: | 16 bits |
| Organización: | 4 M x 16 |
| Tamaño de la memoria: | 64 Mbit |
| Frecuencia máxima de reloj: | 166 MHz |
| Tiempo de acceso: | 6 ns |
| Tensión de alimentación - Máx.: | 3,6 V |
| Tensión de alimentación - Mín.: | 3 V |
| Corriente de suministro - Máx.: | 50 mA |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | 0 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 70 C |
| Serie: | W9864G6KH |
| Marca: | Winbond |
| Sensible a la humedad: | Sí |
| Tipo de producto: | DRACMA |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 540 |
| Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
| Peso unitario: | 9,175 gramos |
♠ 1M ✖ 4 BANCOS ✖ SDRAM DE 16 BITS
La W9864G6KH es una memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono (SDRAM) de alta velocidad, organizada en 1 millón de palabras × 4 bancos × 16 bits. La W9864G6KH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 200 millones de palabras por segundo. Para diferentes aplicaciones, la W9864G6KH se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -5, -6, -6I y -7. Los grados -5 pueden operar hasta 200 MHz/CL3. Los grados -6 y -6I pueden operar hasta 166 MHz/CL3 (el grado industrial -6I garantiza una resistencia de -40 °C a 85 °C). Los grados -7 pueden operar hasta 143 MHz/CL3 con un tRP de 18 nS.
Los accesos a la SDRAM se basan en ráfagas. Se puede acceder a una ubicación de memoria consecutiva en una página con una longitud de ráfaga de 1, 2, 4, 8 o página completa cuando se selecciona un banco y una fila mediante un comando ACTIVE. Las direcciones de columna son generadas automáticamente por el contador interno de la SDRAM en modo ráfaga. También es posible la lectura aleatoria de columnas proporcionando su dirección en cada ciclo de reloj.
La naturaleza multibanco permite el intercalado entre bancos internos para ocultar el tiempo de precarga. Gracias a un registro de modo programable, el sistema puede modificar la duración de la ráfaga, el ciclo de latencia, el intercalado o la ráfaga secuencial para maximizar su rendimiento. El W9864G6KH es ideal para la memoria principal en aplicaciones de alto rendimiento.
• Fuente de alimentación de 3,3 V ± 0,3 V para grados de velocidad -5, -6 y -6I
• Fuente de alimentación de 2,7 V ~ 3,6 V para grados de velocidad -7
• Frecuencia de reloj de hasta 200 MHz
• 1.048.576 palabras
• 4 bancos
• Organización de 16 bits
• Corriente de actualización automática: estándar y de bajo consumo
• Latencia CAS: 2 y 3
• Longitud de ráfaga: 1, 2, 4, 8 y página completa
• Ráfaga secuencial e intercalada
• Datos de bytes controlados por LDQM, UDQM
• Precarga automática y precarga controlada
• Modo de lectura en ráfaga y escritura única
• Ciclos de actualización de 4K/64 ms
• Interfaz: LVTTL
• Empaquetado en TSOP II de 54 pines, 400 milésimas de pulgada con materiales sin plomo que cumplen con la normativa RoHS
