W9864G6KH-6 DRAM 64 Mb, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Winbond |
| Categoria de producto: | DRACMA |
| RoHS: | Detalles |
| Tipo: | SDRAM |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | TSOP-54 |
| Ancho del bus de datos: | 16 bits |
| Organización: | 4M x 16 |
| Tamaño de la memoria: | 64 Mbit |
| Frecuencia de reloj máxima: | 166 MHz |
| Tiempo de acceso: | 6 ns |
| Tensión de alimentación - Máx.: | 3,6 V |
| Tensión de alimentación - Mín.: | 3 voltios |
| Corriente de suministro - Máx.: | 50mA |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | 0C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 70C |
| Serie: | W9864G6KH |
| Marca: | Winbond |
| Sensible a la humedad: | Sí |
| Tipo de producto: | DRACMA |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 540 |
| Subcategoría: | Memoria y almacenamiento de datos |
| Unidad de peso: | 9.175 gramos |
♠ 1M ✖ 4 BANCOS ✖ 16 BITS SDRAM
W9864G6KH es una memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de alta velocidad, organizada como 1 millón de palabras 4 bancos 16 bits.W9864G6KH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 200 millones de palabras por segundo.Para diferentes aplicaciones, W9864G6KH se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -5, -6, -6I y -7.Las piezas de grado -5 pueden funcionar hasta 200 MHz/CL3.Las piezas de grado -6 y -6I pueden funcionar hasta 166 MHz/CL3 (el grado industrial -6I que está garantizado para soportar -40 °C ~ 85 °C).Las piezas de grado -7 pueden funcionar hasta 143 MHz/CL3 y con tRP = 18 nS.
Los accesos a la SDRAM están orientados a ráfagas.Se puede acceder a la ubicación de memoria consecutiva en una página en una ráfaga de 1, 2, 4, 8 o página completa cuando se selecciona un banco y una fila mediante un comando ACTIVO.Las direcciones de columna son generadas automáticamente por el contador interno SDRAM en operación de ráfaga.La lectura aleatoria de columnas también es posible proporcionando su dirección en cada ciclo de reloj.
La naturaleza de múltiples bancos permite intercalar entre bancos internos para ocultar el tiempo de precarga. Al tener un registro de modo programable, el sistema puede cambiar la duración de la ráfaga, el ciclo de latencia, la intercalación o la ráfaga secuencial para maximizar su rendimiento.W9864G6KH es ideal para la memoria principal en aplicaciones de alto rendimiento.
• Fuente de alimentación de 3,3 V ± 0,3 V para grados de velocidad -5, -6 y -6I
• Fuente de alimentación de 2,7 V~3,6 V para grados de velocidad -7
• Frecuencia de reloj de hasta 200 MHz
• 1,048,576 palabras
• 4 bancos
• Organización de 16 bits
• Corriente de actualización automática: potencia estándar y baja
• Latencia CAS: 2 y 3
• Longitud de ráfaga: 1, 2, 4, 8 y página completa
• Ráfaga secuencial e intercalada
• Datos de bytes controlados por LDQM, UDQM
• Precarga automática y precarga controlada
• Lectura en ráfaga, modo de escritura única
• Ciclos de actualización 4K/64 mS
• Interfaz: LVTTL
• Empaquetado en TSOP II de 54 pines, 400 mil utilizando materiales sin plomo con conformidad con RoHS
