FQU2N60CTU MOSFET Q-FET avanzado de canal N de 600 V, serie C
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | Agujero pasante |
| Paquete/Caja: | TO-251-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 600 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1,9 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 4,7 ohmios |
| Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 2 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 12 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
| Pd - Disipación de potencia: | 2,5 W |
| Modo de canal: | Realce |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Soltero |
| Tiempo de otoño: | 28 ns |
| Transconductancia directa - Mín.: | 5 S |
| Altura: | 6,3 milímetros |
| Longitud: | 6,8 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 25 ns |
| Serie: | FQU2N60C |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 5040 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo típico de retardo de apagado: | 24 ns |
| Tiempo de retardo de encendido típico: | 9 ns |
| Ancho: | 2,5 milímetros |
| Peso unitario: | 0,011993 onzas |
♠ MOSFET – Canal N, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Este MOSFET de potencia con modo de mejora de canal N se fabrica utilizando la tecnología patentada de banda planar y DMOS de ON Semiconductor. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado específicamente para reducir la resistencia en estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta resistencia a la energía de avalancha. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
• 1,9 A, 600 V, RDS(activado) = 4,7 (máx.) a VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Carga de compuerta baja (típicamente 8,5 nC)
• Baja Crss (típicamente 4,3 pF)
• 100% probado contra avalanchas
• Estos dispositivos están libres de Halide y cumplen con la normativa RoHS.
