FQU2N60CTU MOSFET 600V Canal N Adv Q-FET Serie C
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | A través del orificio |
| Paquete / Caja: | TO-251-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 600 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1,9A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 4,7 ohmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 2 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 12 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 2,5 vatios |
| Modo de canal: | Mejora |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 28 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 5S |
| Altura: | 6,3 mm |
| Longitud: | 6,8 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 25 ns |
| Serie: | FQU2N60C |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 5040 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 24 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 9 ns |
| Ancho: | 2,5 mm |
| Unidad de peso: | 0.011993 onzas |
♠ MOSFET: canal N, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Este MOSFET de potencia de modo de mejora de N-Channel se produce utilizando la tecnología DMOS y de banda plana patentada de onsemi.Esta tecnología avanzada de MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha.Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.
• 1,9 A, 600 V, RDS (encendido) = 4,7 (máx.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Carga de compuerta baja (típ. 8,5 nC)
• Low Crss (típ. 4,3 pF)
• 100 % probado contra avalanchas
• Estos dispositivos están libres de halids y cumplen con RoHS
