IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET MOSFET_(20 V, 40 V)
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | TDSON-8 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 40 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 70 A |
| Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 3,4 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 1,2 V |
| Qg - Carga de puerta: | 30 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C |
| Pd - Disipación de potencia: | 50 vatios |
| Modo de canal: | Realce |
| Calificación: | AEC-Q101 |
| Nombre comercial: | OptiMOS |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | Tecnologías Infineon |
| Configuración: | Soltero |
| Tiempo de otoño: | 6 ns |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 2 ns |
| Serie: | Canal N |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 5000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo típico de retardo de apagado: | 11 ns |
| Tiempo de retardo de encendido típico: | 3 ns |
| Número de pieza Alias: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| Peso unitario: | 0,003927 onzas |
• OptiMOS™ – MOSFET de potencia para aplicaciones automotrices
• Canal N – Modo de mejora – Nivel lógico
• Calificación AEC Q101
• MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo
• Temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Producto ecológico (compatible con RoHS)
• 100% probado contra avalanchas
