IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET MOSFET_(20V,40V)
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | TDSON-8 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 40 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 70A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 3,4 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 1,2 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 30 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175C |
| Pd - Disipación de potencia: | 50W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Calificación: | AEC-Q101 |
| Nombre comercial: | OptiMOS |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | Tecnologías de Infineon |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 6 ns |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 2 ns |
| Serie: | Canal N |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 5000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 3 ns |
| Alias de parte #: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| Unidad de peso: | 0.003927 onzas |
• OptiMOS™: MOSFET de potencia para aplicaciones automotrices
• Canal N – Modo de mejora – Nivel lógico
• Cualificación AEC Q101
• MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo
• Temperatura de funcionamiento de 175 °C
• Producto ecológico (cumple con RoHS)
• 100 % probado en avalanchas
