IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Breve descripción:

Fabricantes: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Ficha de datos: IPD50N04S4-10
Descripción:Transistor de potencia
Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Características

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete/Estuche: TO-252-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 40 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 50A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 9,3 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 3 voltios
Qg - Carga de puerta: 18,2 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175C
Pd - Disipación de potencia: 41 vatios
Modo de canal: Mejora
Calificación: AEC-Q101
Nombre comercial: OptiMOS
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Marca: Tecnologías de Infineon
Configuración: Soltero
Otoño: 5 ns
Altura: 2,3 mm
Longitud: 6,5 mm
Tipo de producto: MOSFET
Hora de levantarse: 7 ns
Serie: OptiMOS-T2
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo de retardo de apagado típico: 4 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 5 ns
Ancho: 6,22 mm
Alias ​​de parte #: IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1
Unidad de peso: 330 miligramos

  • Anterior:
  • Próximo:

  • • Canal N: modo de mejora

    • AEC calificado

    • MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo

    • Temperatura de funcionamiento de 175 °C

    • Producto ecológico (cumple con RoHS)

    • 100 % probado en avalanchas

     

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