IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

Breve descripción:

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistores - FET, MOSFET - Único
Ficha de datos:IRFR6215TRPBF
Descripción: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Características

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: TO-252-3
Polaridad del transistor: Canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 150 V
Id - Corriente de drenaje continua: 13A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 580 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 4 voltios
Qg - Carga de puerta: 66 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175C
Pd - Disipación de potencia: 110W
Modo de canal: Mejora
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: ratóncarrete
Marca: Tecnologías de Infineon
Configuración: Soltero
Otoño: 37 ns
Transconductancia directa - Min: 3,6 segundos
Altura: 2,3 mm
Longitud: 6,5 mm
Tipo de producto: MOSFET
Hora de levantarse: 36 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: Preliminar
Tiempo de retardo de apagado típico: 53 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 14 ns
Ancho: 6,22 mm
Alias ​​de parte #: IRFR6215TRPBF SP001571562
Unidad de peso: 0.011640 onzas

 

♠ MOSFET de potencia IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET®

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizantécnicas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible porárea de silicio.Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutacióny diseño de dispositivo reforzado que los MOSFET de potencia HEXFET sonconocido por, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficientepara su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El D-PAK está diseñado para montaje en superficie utilizando fase de vapor,infrarrojas o técnicas de soldadura por ola.La versión principal directa(serie IRFU) es para aplicaciones de montaje de orificio pasante.Fuerzaniveles de disipación de hasta 1,5 vatios son posibles en superficies típicasmontar aplicaciones.


  • Anterior:
  • Próximo:

  •  Canal P

     Temperatura de funcionamiento de 175 °C

     Montaje en superficie (IRFR6215)

     Cable recto (IRFU6215)

     Tecnología de proceso avanzada

     Cambio rápido

     Totalmente clasificado para avalanchas

     Sin plomo

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