IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | IXYS |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | TO-263-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 650 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 22A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 160 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 2,7 V |
| Qg - Carga de puerta: | 38 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 360W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | HiPerFET |
| Embalaje: | Tubo |
| Marca: | IXYS |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 10 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 8S |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 35 ns |
| Serie: | Unión ultra de 650 V X2 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 50 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 33 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 38 ns |
| Unidad de peso: | 0,139332 onzas |
