Transistores bipolares MBT3904DW1T1G – BJT 200 mA 60 V NPN doble
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoría de producto: | Transistores bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalles |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Caja: | SC-70-6 |
| Polaridad del transistor: | NPN |
| Configuración: | Dual |
| Voltaje colector-emisor VCEO máx.: | 40 voltios |
| Voltaje colector-base VCBO: | 60 voltios |
| Voltaje base-emisor VEBO: | 6 voltios |
| Voltaje de saturación colector-emisor: | 300 mV |
| Corriente máxima del colector de CC: | 200 mA |
| Pd - Disipación de potencia: | 150 mW |
| Producto de ancho de banda de ganancia fT: | 300 MHz |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | Carrete de ratón |
| Marca: | onsemi |
| Corriente de colector continua: | - 2 A |
| Ganancia de colector/base de CC hfe Min: | 40 |
| Altura: | 0,9 milímetros |
| Longitud: | 2 milímetros |
| Tipo de producto: | BJT - Transistores bipolares |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | Transistores |
| Tecnología: | Si |
| Ancho: | 1,25 milímetros |
| Número de pieza Alias: | MBT3904DW1T3G |
| Peso unitario: | 0.000988 onzas |
• hFE, 100−300 • VCE(sat) bajo, ≤ 0,4 V
• Simplifica el diseño de circuitos
• Reduce el espacio en el tablero
• Reduce el número de componentes
• Disponible en cinta y carrete de 8 mm, 7 pulgadas/3000 unidades
• Prefijo S y NSV para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de cambio de sitio y control; calificado por AEC−Q101 y con capacidad PPAP
• Estos dispositivos no contienen plomo, halógenos ni BFR y cumplen con la normativa RoHS.
