Transistores bipolares MBT3904DW1T1G - BJT 200mA 60V Dual NPN
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | Transistores bipolares - BJT |
| RoHS: | Detalles |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | SC-70-6 |
| Polaridad del transistor: | PNP |
| Configuración: | Doble |
| Tensión colector-emisor VCEO máx.: | 40 voltios |
| Colector- Tensión base VCBO: | 60 V |
| Emisor- Tensión base VEBO: | 6 voltios |
| Tensión de saturación colector-emisor: | 300 mV |
| Corriente máxima del colector de CC: | 200mA |
| Pd - Disipación de potencia: | 150 mW |
| Producto de ganancia de ancho de banda fT: | 300 MHz |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Serie: | MBT3904DW1 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi |
| Corriente continua del colector: | - 2A |
| Colector de CC/ganancia base hfe min: | 40 |
| Altura: | 0,9mm |
| Longitud: | 2mm |
| Tipo de producto: | BJT - Transistores bipolares |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | transistores |
| Tecnología: | Si |
| Ancho: | 1,25 mm |
| Alias de parte #: | MBT3904DW1T3G |
| Unidad de peso: | 0.000988 onzas |
• hFE, 100−300 • VCE bajo (sat), ≤ 0,4 V
• Simplifica el diseño de circuitos
• Reduce el espacio en el tablero
• Reduce el número de componentes
• Disponible en cinta y carrete de 8 mm, 7 pulgadas/3000 unidades
• Prefijo S y NSV para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos únicos de sitio y cambio de control;Cualificación AEC−Q101 y capacidad PPAP
• Estos dispositivos son libres de Pb−, libre de halógenos/BFR y cumplen con RoHS
