NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | SC-88-6 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 2 canales |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continuo: | 295mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1,6 ohmios |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 PC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55C |
| Temperatura máxima de trabajo: | + 150C |
| Dp - Disipación de potencia : | 250 mW |
| Modo canal: | Mejora |
| Empaquetado: | Carrete |
| Empaquetado: | Cortar cinta |
| Empaquetado: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi |
| Configuración: | Doble |
| Tiempo de caída: | 32 ns |
| Altura: | 0,9mm |
| Longitud: | 2mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| Serie: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 2 canales N |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
| Ancho: | 1,25 mm |
| Peso de la unidad: | 0.000212 onzas |
• RDS bajo (activado)
• Umbral de puerta bajo
• Baja capacitancia de entrada
• Puerta protegida ESD
• Prefijo NVJD para aplicaciones automotrices y otras que requieren un sitio único y requisitos de cambio de control;Cualificación AEC−Q101 y capacidad PPAP
• Este es un dispositivo libre de Pb
•Interruptor de carga lateral baja
• Convertidores CC-CC (circuitos reductores y elevadores)
