SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | SOT-23-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal P |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 8 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 5,8 A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 35 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 12 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 1,7 vatios |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | TrincheraFET |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | Semiconductores Vishay |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 10 ns |
| Altura: | 1,45 mm |
| Longitud: | 2,9mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 20 ns |
| Serie: | SI2 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal P |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 40 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 20 ns |
| Ancho: | 1,6mm |
| Alias de parte #: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Unidad de peso: | 0.000282 onzas |
• Libre de halógenos Según la definición de IEC 61249-2-21
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• 100 % Rg probado
• Cumple con la Directiva RoHS 2002/95/EC
• Interruptor de carga para dispositivos portátiles
• Convertidor CC/CC
