SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

Breve descripción:

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistores - FET, MOSFET - Único
Ficha de datos:SI3417DV-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Características

Aplicaciones

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: Vishay
Categoria de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: TSOP-6
Polaridad del transistor: Canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 30 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 8A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 36 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 3 voltios
Qg - Carga de puerta: 50 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Pd - Disipación de potencia: 4,2 vatios
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: TrincheraFET
Serie: SI3
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: ratóncarrete
Marca: Semiconductores Vishay
Configuración: Soltero
Altura: 1,1 mm
Longitud: 3,05mm
Tipo de producto: MOSFET
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: MOSFET
Ancho: 1,65mm
Unidad de peso: 0.000705 onzas

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  • • MOSFET de potencia TrenchFET®

    • 100 % Rg y UIS probado

    • Categorización de materiales:
    Para las definiciones de cumplimiento, consulte la hoja de datos.

    • Interruptores de carga

    • Interruptor adaptador

    • Convertidor CC/CC

    • Para informática móvil/consumidor

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