SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | PowerPAK-1212-8 |
| Polaridad del transistor: | Canal P |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 200 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 3,8A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 1,05 ohmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 2 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 25 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 50C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 52W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | TrincheraFET |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | Semiconductores Vishay |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 12 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 4S |
| Altura: | 1,04 mm |
| Longitud: | 3,3mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 11 ns |
| Serie: | SI7 |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal P |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 27 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 9 ns |
| Ancho: | 3,3mm |
| Alias de parte #: | SI7119DN-GE3 |
| Unidad de peso: | 1 gramo |
• Libre de halógenos Según IEC 61249-2-21 Disponible
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07 mm
• 100 % probado por UIS y Rg
• Abrazadera activa en fuentes de alimentación CC/CC intermedias
