STD35P6LLF6 MOSFET canal P 60V 0.025Ohm tipo 35A STripFET F6 MOSFET de potencia
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | TO-252-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal P |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 35A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 28 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 30 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175C |
| Pd - Disipación de potencia: | 70W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | tiraFET |
| Serie: | STD35P6LLF6 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 21 ns |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 39 ns |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 2500 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | MOSFET de potencia de 1 canal P |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 171 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 51,4 ns |
| Unidad de peso: | 0.011640 onzas |
♠ STD35P6LLF6 MOSFET de potencia STripFET™ F6 de canal P de 60 V, 0,025 Ω típ., 35 A en un paquete DPAK
Este dispositivo es un MOSFET de potencia de canal P desarrollado con la tecnología STripFET™ F6, con una nueva estructura de compuerta de trinchera.El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS (activado) muy bajo en todos los paquetes.
Muy baja resistencia
Carga de puerta muy baja
Gran robustez frente a avalanchas
Pérdida de potencia de accionamiento de compuerta baja
Cambio de aplicaciones
