SUD50P06-15-GE3 MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Estuche: | TO-252-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal P |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 50A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 15 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 3 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 40 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
| Pd - Disipación de potencia: | 113W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | TrincheraFET |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | Semiconductores Vishay |
| Configuración: | Soltero |
| Otoño: | 30 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 61 S |
| Altura: | 2,38mm |
| Longitud: | 6,73 mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 9 ns |
| Serie: | SUD |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 2000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal P |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 65 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 8 ns |
| Ancho: | 6,22 mm |
| Alias de parte #: | SUD50P06-15-BE3 |
| Unidad de peso: | 330 miligramos |
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• Interruptor de carga
