Controladores de puerta VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabricante: | STMicroelectrónica |
Categoria de producto: | Controladores de puerta |
RoHS: | Detalles |
Producto: | Controladores de puerta MOSFET |
Tipo: | Lado bajo |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Caja: | SOIC-8 |
Número de conductores: | 2 conductor |
Número de salidas: | 2 salidas |
Corriente de salida: | 5A |
Tensión de alimentación - Máx.: | 24V |
Hora de levantarse: | 250 ns |
Otoño: | 250 ns |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 40C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150C |
Serie: | VNS3NV04DP-E |
Calificación: | AEC-Q100 |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | ratóncarrete |
Marca: | STMicroelectrónica |
Sensible a la humedad: | Sí |
Corriente de suministro de funcionamiento: | 100 uA |
Tipo de producto: | Controladores de puerta |
Cantidad del paquete de fábrica: | 2500 |
Subcategoría: | PMIC - Circuitos integrados de administración de energía |
Tecnología: | Si |
Unidad de peso: | 0.005291 onzas |
♠ MOSFET de potencia totalmente autoprotegido OMNIFET II
El dispositivo VNS3NV04DP-E está compuesto por dos chips monolíticos (OMNIFET II) alojados en un paquete SO-8 estándar.El OMNIFET II está diseñado con la tecnología STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 y está diseñado para reemplazar los MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CC de hasta 50 kHz.
El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles.
La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada
■ ECOPACK®: sin plomo y cumple con RoHS
■ Grado de automoción: cumplimiento de las directrices AEC
■ Limitación de corriente lineal
■ Apagado térmico
■ Protección contra cortocircuitos
■ Abrazadera integrada
■ Baja corriente extraída del pin de entrada
■ Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
■ Protección ESD
■ Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)
■ Compatible con MOSFET de potencia estándar