Controladores de puerta VNS3NV04DPTR-E OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

Breve descripción:

Fabricantes:STMicroelectronics

Categoría de producto: Controladores de puerta

Ficha de datos:VNS3NV04DPTR-E

Descripción:IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC

Estado de RoHS: compatible con RoHS


Detalle del producto

Características

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: STMicroelectrónica
Categoria de producto: Controladores de puerta
RoHS: Detalles
Producto: Controladores de puerta MOSFET
Tipo: Lado bajo
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: SOIC-8
Número de conductores: 2 conductor
Número de salidas: 2 salidas
Corriente de salida: 5A
Tensión de alimentación - Máx.: 24V
Hora de levantarse: 250 ns
Otoño: 250 ns
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Serie: VNS3NV04DP-E
Calificación: AEC-Q100
Embalaje: Carrete
Embalaje: Cortar cinta
Embalaje: ratóncarrete
Marca: STMicroelectrónica
Sensible a la humedad:
Corriente de suministro de funcionamiento: 100 uA
Tipo de producto: Controladores de puerta
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: PMIC - Circuitos integrados de administración de energía
Tecnología: Si
Unidad de peso: 0.005291 onzas

♠ MOSFET de potencia totalmente autoprotegido OMNIFET II

El dispositivo VNS3NV04DP-E está compuesto por dos chips monolíticos (OMNIFET II) alojados en un paquete SO-8 estándar.El OMNIFET II está diseñado con la tecnología STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 y está diseñado para reemplazar los MOSFET de potencia estándar en aplicaciones de CC de hasta 50 kHz.

El apagado térmico incorporado, la limitación de corriente lineal y la abrazadera de sobretensión protegen el chip en entornos hostiles.

La retroalimentación de falla se puede detectar al monitorear el voltaje en el pin de entrada


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  • ■ ECOPACK®: sin plomo y cumple con RoHS

    ■ Grado de automoción: cumplimiento de las directrices AEC

    ■ Limitación de corriente lineal

    ■ Apagado térmico

    ■ Protección contra cortocircuitos

    ■ Abrazadera integrada

    ■ Baja corriente extraída del pin de entrada

    ■ Retroalimentación de diagnóstico a través del pin de entrada

    ■ Protección ESD

    ■ Acceso directo a la puerta del MOSFET de potencia (conducción analógica)

    ■ Compatible con MOSFET de potencia estándar

     

     

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