FDC8878 MOSFET MOSFET PowerTrench de canal N de 30 V

Breve descripción:

Fabricantes: ON Semiconductor

Categoría de producto: Transistores - FET, MOSFET - Único

Ficha de datos:FDC8878

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT

Estado de RoHS: Cumple con RoHS


Detalle del producto

Etiquetas de productos

♠ Descripción del producto

Atributo del producto valor de atributo
Fabricante: onsemi
Categoria de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete/Cubierta: SSOT-6
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 30 voltios
Id - Corriente de drenaje continuo: 8A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 16 mOhmios
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1,2 voltios
Qg - Carga de puerta: 18 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55C
Temperatura máxima de trabajo: + 150C
Dp - Disipación de potencia : 800 mW
Modo canal: Mejora
Nombre comercial: PowerTrench
Empaquetado: Carrete
Empaquetado: Cortar cinta
Empaquetado: ratóncarrete
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Soltero
Altura: 1,1 mm
Longitud: 2,9mm
Tipo de producto: MOSFET
Serie: FDC8878
Cantidad de empaque de fabrica: 3000
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 1,6mm
Peso de la unidad: 0.001270 onzas

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