FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | valor de atributo |
| Fabricante: | onsemi |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 20 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continuo: | 1,7 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55 mOhmios |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400mV |
| Qg - Carga de puerta: | 5 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55C |
| Temperatura máxima de trabajo: | + 150C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modo canal: | Mejora |
| Nombre comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Carrete |
| Empaquetado: | Cortar cinta |
| Empaquetado: | ratóncarrete |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Soltero |
| Tiempo de caída: | 8,5 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 7 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Longitud: | 2,9mm |
| Producto: | MOSFET pequeña señal |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 8,5 ns |
| Serie: | FDN335N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 1 canal N |
| Tipo: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 5 ns |
| Ancho: | 1,4mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN335N_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001058 onzas |
♠ MOSFET PowerTrenchTM especificado de 2,5 V de canal N
Este MOSFET especificado de canal N de 2,5 V se produce utilizando el proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo y, sin embargo, mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior.
• 1,7 A, 20 V. RDS (ENCENDIDO) = 0,07 Ω @ VGS = 4,5 V RDS (ENCENDIDO) = 0,100 Ω @ VGS = 2,5 V.
• Carga de compuerta baja (3,5 nC típica).
• Tecnología de trinchera de alto rendimiento para un RDS(ON) extremadamente bajo.
• Capacidad de manejo de alta potencia y corriente.
• Convertidor CC/CC
• Interruptor de carga
