AUIRFN8459TR MOSFET HEXFET de canal N doble de 40 V
♠ Descripción del producto
Atributo del producto | Valor del atributo |
Fabricante: | Infineon |
Categoría de producto: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Tecnología: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete/Caja: | PQFN-8 |
Polaridad del transistor: | Canal N |
Número de canales: | 2 canales |
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: | 40 voltios |
Id - Corriente de drenaje continua: | 70 A |
Rds On - Resistencia de drenaje-fuente: | 5,9 mOhmios |
Vgs - Voltaje de compuerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: | 3 V |
Qg - Carga de puerta: | 40 nC |
Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175 C |
Pd - Disipación de potencia: | 50 vatios |
Modo de canal: | Realce |
Calificación: | AEC-Q101 |
Embalaje: | Carrete |
Embalaje: | Cortar cinta |
Embalaje: | Carrete de ratón |
Marca: | Tecnologías Infineon |
Configuración: | Dual |
Tiempo de otoño: | 42 ns |
Transconductancia directa - Mín.: | 66 S |
Altura: | 1,2 milímetros |
Longitud: | 6 milímetros |
Tipo de producto: | MOSFET |
Tiempo de subida: | 55 ns |
Cantidad del paquete de fábrica: | 4000 |
Subcategoría: | MOSFET |
Tipo de transistor: | 2 canales N |
Tiempo típico de retardo de apagado: | 25 ns |
Tiempo de retardo de encendido típico: | 10 ns |
Ancho: | 5 milímetros |
Número de pieza Alias: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
Peso unitario: | 0.004308 onzas |
♠ MOSFET 40 V Doble Canal N HEXFET
Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las técnicas de procesamiento más avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Además, este diseño ofrece una temperatura de operación de unión de 175 °C, una alta velocidad de conmutación y una mejor resistencia a avalanchas repetitivas. Estas características lo convierten en un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la industria automotriz y en una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
MOSFET de canal N dual
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo, compatible con RoHS
Automotriz Calificado *
Sistemas automotrices de 12 V
Motor de CC con escobillas
Frenado
Transmisión