AUIRFN8459TR MOSFET 40V doble canal HEXFET
♠ Descripción del producto
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Infineon |
| Categoria de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Tecnología: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Caja: | PQFN-8 |
| Polaridad del transistor: | Canal N |
| Número de canales: | 2 canales |
| Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: | 40 voltios |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 70A |
| Rds On - Resistencia drenaje-fuente: | 5,9 mOhmios |
| Vgs - Voltaje de puerta-fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: | 3 voltios |
| Qg - Carga de puerta: | 40 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento: | - 55C |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 175C |
| Pd - Disipación de potencia: | 50W |
| Modo de canal: | Mejora |
| Calificación: | AEC-Q101 |
| Embalaje: | Carrete |
| Embalaje: | Cortar cinta |
| Embalaje: | ratóncarrete |
| Marca: | Tecnologías de Infineon |
| Configuración: | Doble |
| Otoño: | 42 ns |
| Transconductancia directa - Min: | 66 S |
| Altura: | 1,2 mm |
| Longitud: | 6mm |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Hora de levantarse: | 55 ns |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 4000 |
| Subcategoría: | MOSFET |
| Tipo de transistor: | 2 canales N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 25 ns |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 10 ns |
| Ancho: | 5mm |
| Alias de parte #: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Unidad de peso: | 0.004308 onzas |
♠ MOSFET 40V HEXFET de doble canal N
Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este producto un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de proceso avanzada
MOSFET de doble canal N
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo, cumple con RoHS
Calificado Automotriz *
Sistemas Automotrices de 12V
Motor DC con escobillas
Frenado
Transmisión
